En el nuevo desarrollo del próximo phablet de Samsung, el Samsung Galaxy Note 8 puede presentar 256 GB de almacenamiento interno.
Decimos esto porque, según el informe de The Business Wire, Samsung ha comenzado la producción en masa de chips de memoria V-NAND de 256 GB, lo que indica que podría incluirse en el Samsung Galaxy Note 8, que se lanzará en agosto.
Actualmente, el flash V-NAND de 48 capas, 3 bits y 256 GB es el chip más rápido de Samsung. En comparación con 48 capas Flash V-NAND de 3 bits y 256 GB, el próximo 64 capas El chip de memoria V-NAND de 256 Gb y 3 bits es mejor en cuatro áreas.
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En primer lugar, el chip de 64 capas tiene una velocidad de transferencia de datos de 1 Gbps (gigabit por segundo), lo que lo hace 1,5 veces más rápido de chip de 48 capas. En segundo lugar, el chip de 64 capas da 30 por ciento más de ganancia de productividad que su predecesor. En tercer lugar, el nuevo chip tiene mayor eficiencia energética gracias a la tensión de entrada de 2,5 V. Por último, el nuevo chip se trata de 20% más confiable que el flash V-NAND de 48 capas, 3 bits y 256 GB.
Samsung Galaxy Note 8 también contará con el próximo procesador Snapdragon 836, que es un sucesor incremental del procesador Snapdragon 835. En cuanto a las especificaciones filtradas recientemente, Galaxy Note 8 parece ser un poderoso regreso de Samsung, después de la debacle de Note 7.
Fuente: The Business Wire
