Un informe reciente de China indica que el fabricante de chips Qualcomm ha finalizado la hoja de especificaciones para el próximo conjunto de chips Snapdragon 820. Se dice que el fabricante de chips ha comenzado a enviar muestras del SoC a los fabricantes de teléfonos inteligentes para fines de prueba.
En la feria tecnológica MWC 2015 a principios de marzo, Qualcomm se burló del próximo SoC de gama alta, Snapdragon 820. Afirmó que el conjunto de chips utilizará un procesador Kyro de 64 bits diseñado a medida. Se dice que los núcleos del procesador Kyro tienen una frecuencia de 3 GHz. Además, hay afirmaciones de que el SoC Snapdragon 820 se fabrica utilizando la tecnología de fabricación de nodos de 14 nm de Samsung.
Ya hemos escuchado que Qualcomm se está asociando con Snapdragon para la fabricación de su próximo conjunto de chips, pero esta es la primera vez que escuchamos sobre la frecuencia del núcleo del procesador del conjunto de chips.
El informe sugirió además que firmas como Xiaomi, HTC y Sony serán las primeras en probar el conjunto de chips Snapdragon 820. Según fuentes confiables citadas en el informe, la firma china Xiaomi planea incluir el conjunto de chips Snapdragon 820 en su próximo teléfono inteligente insignia Mi 5, que se especula que se lanzará en octubre de este año, si el conjunto de chips funciona bien en las pruebas.
La gran pregunta que queda por responder es si el Snapdragon 820 puede resolver los problemas de sobrecalentamiento que enfrentó el Snapdragon 810 fabricado por TSMC en la plataforma de 20 nm. El proceso de nodo de 14 nm que se afirma que Samsung utiliza para fabricar el Snapdragon 820 es el mismo que se utilizó para fabricar el conjunto de chips Exynos 7420 utilizado en el Galaxy S6. Este conjunto de chips logró brindar un rendimiento térmico mejorado, y también se espera lo mismo del Snapdragon 820.
