El jueves, Samsung reveló una memoria DDR5 de 512 GB, la primera en la industria, con una velocidad de hasta 7,300 Mbps.
La DDR5 de Samsung utilizará tecnología HKMG altamente avanzada que se ha utilizado tradicionalmente en semiconductores lógicos. Con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha adelgazado, lo que lleva a una mayor corriente de fuga. Al reemplazar el aislante con material HKMG, la DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas y alcanzar nuevas alturas en rendimiento. Esta nueva memoria también utilizará aproximadamente un 13% menos de energía, lo que la hace especialmente adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética se vuelve cada vez más crítica.
Echale un vistazo: Samsung presenta la increíble memoria DDR5 de 512 GB
