En su evento de Foundry Forum 2022, Samsung anunció su hoja de ruta para el desarrollo de chips NAND de próxima generación, tarjetas de video GDDR7 y otros chips de memoria.
Algunos de los más destacados son la compañía que ingresa a la etapa de proceso de 1bnm para producir sus chips de memoria, con velocidades nativas de 6.4-7.2Gbps. Además, Samsung dijo que el primer TLC V-NAND de 1 TB del mundo llegará a los usuarios a finales de este año.
Anuncios de Samsung sobre chips de memoria
El negocio de memorias de Samsung es tan importante como su negocio de productos electrónicos, y generó la mayor parte de los ingresos de la empresa en los últimos trimestres. Últimamente, la empresa Anunciado una hoja de ruta clara de sus desarrollos futuros en la industria de la memoria en el evento Foundry Forum 2022 de la compañía.
Según eso, la empresa entrará en la etapa de proceso de 1bnm en 2023, con la capacidad del chip de memoria alcanzando los 24 Gb (3 GB) – 32 Gb (4 GB) a velocidades nativas de 6,4-7,2 Gbps. Además, la compañía planea lanzar la memoria DDR6 en 2026 y tener un chip de velocidad de 10 Gbps en 2027.
Samsung también habló sobre la próxima generación de memoria de video: GDDR7, e insinuó que las próximas tarjetas de video emblemáticas de AMD y Nvidia vendrán en este estándar. Y luego está la hoja de ruta para su memoria flash, con chips V9 NAND esperados para 2024.
Samsung dijo que su V-NAND de novena generación está en desarrollo y entrará en producción en masa para 2024. Y para 2030, la compañía espera apilar más de 1,000 capas de NAND para soportar mejor las futuras tecnologías de uso intensivo de datos y prometió traer el primer TLC V-NAND de 1Tb del mundo a los clientes para fines de este año.
Finalmente, la compañía afirma ser el líder en chips DRAM y NAND durante las últimas décadas, al mismo tiempo que desarrolla una DRAM de clase 10nm (1b) de quinta generación y la NAND vertical (V-NAND) de octava y novena generación aparte. Todos estos anuncios colocan a Samsung en la cima de la industria de chips.
