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Snapdragon 830 contará con Quick Charge 4.0

Un nuevo rumor proveniente de China, de una fuente muy confiable con un historial comprobado de grandes filtraciones exitosas, revela que Qualcomm planea integrar su próximo gran avance en la carga, Quick Charge 4.0, en su conjunto de chips Snapdragon 830. Dicho Quick Charge 4.0 también incluirá la tecnología INOV (Negociación inteligente para voltaje óptimo), según se informa.

Si Qualcomm puede hacer eso, creemos que Samsung lo combinaría con el chipset Exynos 8895, que se basaría en la tecnología de producción de 10 nm que usaría el Snapdragon 830. Se espera que el chipset SD830 alimente los buques insignia del próximo año: Samsung Galaxy S8, HTC 11, Sony Xperia X2, LG G6, Motorola Moto Z2, etc.

Ya que hablamos de procesadores, recordemos que ayer compartimos algunos detalles jugosos sobre el procesador que podría alimentar al Samsung Galaxy S9 en 2018, el chipset Exynos9.

Con Quick Charge 4.0, la potencia de carga aumentará a 28 W, mientras que con la tecnología actual Qualcomm QC 3.0 es de 18 W. Sin embargo, Huawei aún puede cargar con una potencia de 22,5 W, mientras que la carga rápida de Oppo alcanza un máximo de 20 W, pero ambos son tecnología de generación actual como QC 3.0.

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